寰球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)trendforce旗下內(nèi)存貯存事業(yè)處dramexchange考核性能，受惠智能手機(jī)前來體驗、平板電腦與固態(tài)硬盤的強(qiáng)勁成長(zhǎng)，2013年nand flash需要年增率高達(dá)46%開放以來，產(chǎn)值較2012年成長(zhǎng)22%廣泛認同，來(lái)到246億美元。2014年在固態(tài)硬盤應(yīng)用逐漸滲透到企業(yè)端用戶帶動(dòng)下發展成就，預(yù)期nand flash可達(dá)36%成長(zhǎng)成就，產(chǎn)值可沖破環(huán)形變壓器270億美元。
　　制程轉(zhuǎn)進(jìn)腳步加快 出產(chǎn)商企圖心顯現(xiàn)
　　從制程轉(zhuǎn)進(jìn)的腳步來(lái)看開展面對面，nand flash業(yè)者從去年第三季以來(lái)陸續(xù)轉(zhuǎn)進(jìn)1x奈米制程系統，同時(shí)20奈米等級(jí)的ssd、emmc跟emcp等嵌入式產(chǎn)品也廣泛被應(yīng)用在各種移動(dòng)設(shè)備中進一步提升，因此去年第四季20奈米與1x奈米出貨比重已攻破90%空間廣闊，成為nand flash主流制程。隨著制程微縮在1x奈米以下將面臨物理限度的挑戰(zhàn)改革創新，各家nand flash業(yè)者紛紛加速開(kāi)發(fā)3d-nand flash的技巧來(lái)沖破單位面積儲(chǔ)存容量的制約知識和技能，而自從三星在去年八月份宣告將以3d-nand flash進(jìn)軍服務(wù)器等級(jí)固態(tài)硬盤以來(lái)，使得其余營(yíng)壘更加速3d-nand flash的開(kāi)發(fā)腳步新模式。
　　觀察各家目前3d-nand flash開(kāi)發(fā)進(jìn)度實現，三星電子從去年下半年開(kāi)始生產(chǎn)”v-nand”以來(lái)，憑借著自行開(kāi)發(fā)的固態(tài)硬盤操縱芯片組織了，縮短整合控制芯片與nand flash芯片的時(shí)效服務體系，并且充分發(fā)揮3d-nand flash適合高容量產(chǎn)品的優(yōu)勢(shì)，透過(guò)以堆棧24層所組成的128gb芯片搶抓機遇，目標(biāo)直接揮軍服務(wù)器等級(jí)固態(tài)硬盤分析，并且在去年第四季開(kāi)始已陸續(xù)送樣給服務(wù)器業(yè)者或是數(shù)據(jù)中心制造商進(jìn)行測(cè)試，因此三星電子目前在3d-nand flash應(yīng)用進(jìn)度當(dāng)先其余業(yè)者全會精神，而三星的v-nand制作基地將以韓國(guó)廠與新設(shè)破的中國(guó)西安廠為主系統穩定性。繼電器插座
　　而開(kāi)發(fā)3d-nand flash技能”bics”的東芝與sandisk營(yíng)壘同樣也展現(xiàn)明顯接觸器的盤算心。該營(yíng)壘的3d-nand flash產(chǎn)品將從今年第二季起開(kāi)始小量試產(chǎn)集中展示，目標(biāo)在2015年前可能順利銜接現(xiàn)有1y與1z奈米技能實力增強，而為了后續(xù)3d-nand flash的量產(chǎn)鋪路，東芝跟sandisk所奇特投資位于日本三重縣四日市的第五號(hào)半導(dǎo)系統(tǒng)造廠第二期工程擴(kuò)建盤算也預(yù)計(jì)今年第三季竣工共享，自今年第四季起可順利進(jìn)入范疇化生產(chǎn)信息化。
　　另一方面方式之一，sk海力士與美光、英特爾營(yíng)壘也清楚發(fā)布各自3d-nand flash的藍(lán)圖將接棒16奈米新型儲能，計(jì)劃將在今年第二季左右可送樣測(cè)試創新能力，最快將在第四季進(jìn)入量產(chǎn)。因而範圍，誠(chéng)然2014年多數(shù)廠商的3d-nand flash進(jìn)展多半停留在送樣階段求得平衡，trendforce預(yù)期2014年3d-nand flash產(chǎn)出比重僅有3%，然而3d-nand flash的開(kāi)發(fā)速度確實(shí)有超混頻器乎預(yù)期的進(jìn)展空間廣闊，跟著廠商在2015年將開(kāi)端量產(chǎn)3d-nand的局勢(shì)來(lái)看至關重要，預(yù)期在經(jīng)過(guò)2014年接近傳感器的軍備競(jìng)賽后，2015年3d-nand flash市占率將可提升至20%以上服務品質，跟著3d-nand flash的成熟的發生，nand flash單位本錢將呈等比級(jí)數(shù)下滑，屆時(shí)貯存容量性價(jià)比將可有效提升影響。
　　然而3d-nand flash的開(kāi)發(fā)速度確實(shí)有超乎預(yù)期的進(jìn)展新的動力，隨著廠商在2015年將開(kāi)始量產(chǎn)3d-nand的局勢(shì)來(lái)看，預(yù)期在經(jīng)過(guò)2014年的軍備比賽后發展契機，2015年3d-nand flash市占率將可提升至20%以上廣泛關註，隨著3d-nand flash的成熟，nand flash單位本錢將呈等比級(jí)數(shù)下滑發力，屆時(shí)儲(chǔ)存容量性價(jià)比將可有效提升鍛造。
　　nand flash芯片量產(chǎn)在即 市場(chǎng)占比將破6成
　　ubs的分析師認(rèn)為，2013年nand flash芯片成長(zhǎng)44.8%持續創新、2014年則預(yù)期將成長(zhǎng)42.8%改善，超乎原來(lái)內(nèi)存廠商的預(yù)期。另外協調機製，值得留心的是信息化，3d nand flash芯片預(yù)計(jì)將于2014年開(kāi)始啟動(dòng)量產(chǎn)。
　　就趨勢(shì)來(lái)看實踐者，平板電腦跟智能手機(jī)持續(xù)須要更大容量及更便宜的內(nèi)容儲(chǔ)存取得明顯成效，促使nand flash芯片制造商始終改良他們的產(chǎn)品制造技巧。從前數據，nand flash芯片制作商致力將產(chǎn)品微型化創新的技術，當(dāng)初則是利用3d技術(shù)將進(jìn)展重點(diǎn)從微型化轉(zhuǎn)移至增加密度。跟傳統(tǒng)閃存比較發行速度，3d nand flash芯片的性能更加堅強、牢固度、長(zhǎng)久性都較為優(yōu)良性能，而且可能大幅降落成本初步建立，對(duì)破費(fèi)者而言是性價(jià)比極高的內(nèi)存解決打算綜合運用。
　　trendforce則認(rèn)為，3d nand flash芯片的產(chǎn)品雖然在2013年底開(kāi)端有廠商陸續(xù)推出樣本的方法，但3d nand flash芯片在出產(chǎn)良率的提升與效率的改進(jìn)需要較長(zhǎng)的時(shí)間實事求是，同時(shí)在應(yīng)用端與主芯片及體制整合的驗(yàn)證流程更是如此，因而3d nand flash芯片的量產(chǎn)時(shí)間點(diǎn)最快將落在2014年下半年落到實處，甚至是2015或2016年服務水平。
　　另根據(jù)ihs flash dynamics的研究，3d技術(shù)在nand市場(chǎng)的占據(jù)率于2014年將躍升至5.2%技術創新，至2015年更會(huì)快速推進(jìn)至占閃存出貨量的30.2%應用擴展。在2016年，3d nand flash芯片的市場(chǎng)占有率將擴(kuò)大至49.8%增多，直至2017年甚至將高達(dá)65.2%。