"電荷泵"一詞也有用在鎖相環(huán)（PLL）電路中，不過作用不同改進措施。鎖相環(huán)中的電荷泵只是雙極性的切換式電流源就此掀開，因此可以輸出正負(fù)交換的電流脈沖給鎖相環(huán)的濾波電路，但其電壓只能在電源和地點(diǎn)之間今年，無法產(chǎn)生超過電源或低于地點(diǎn)的電壓穩步前行。

 

電荷泵常見的應(yīng)用是RS-232信號(hào)轉(zhuǎn)換IC，可以從單一的5V或3V電源供應(yīng)器產(chǎn)生正負(fù)電壓（多半是+10V及-10V）動手能力。

 

電荷泵也可以用在LCD或是白光LED的驅(qū)動(dòng)電路逐步改善，從單一電源（例如電池）產(chǎn)生高偏壓的電壓。

 

電荷泵廣泛應(yīng)用在NMOS的內(nèi)存及微處理器中提升，用來產(chǎn)生連接到IC基層（Substrate）的負(fù)電壓VBB（約-3V）大大提高。這可以確保N+至基層的結(jié)點(diǎn)（junction）都有3V甚至更高的逆向偏壓，可以降低結(jié)點(diǎn)電容研究成果，并且提升電路的速度取得了一定進展。

 

到2007年為止，幾乎所有的EEPROM及快閃存儲(chǔ)器（flash memory）都已整合了電荷泵電路大面積。這類的芯片在記憶單元寫入新的值前積極參與，需要用高電壓的脈沖先清除該區(qū)塊已有的資料。早期的EEPROM及快閃存儲(chǔ)器需要二種電源：用來讀取資料的+5V以及用來清除資料的+12V有望。截至2007年進一步推進，市面上可購得的EEPROM及快閃存儲(chǔ)器都只需要一組電源，多半是1.8V或3.3V方案。而清除記憶區(qū)塊需要的高電壓則由芯片中的電荷泵自行產(chǎn)生應用的選擇。

 

在由n通道的功率MOSFET或絕緣柵雙極晶體管（IGBT）組成的H橋電路中，電荷泵也用在H橋high side功率元件的柵極驅(qū)動(dòng)器上左右。當(dāng)H橋其中一只中心點(diǎn)為低電壓時(shí)背景下，會(huì)經(jīng)由二極管向電容器充電，之后充電的電荷會(huì)來讓high side的柵極比電源電壓高一些可靠保障，好讓功率元件導(dǎo)通等特點。假設(shè)H橋正常切換的情形下，上述的作法可以正常工作多種，免去了另一個(gè)獨(dú)立的電源供應(yīng)器將進一步，也讓開關(guān)可以使用效率更好的n通道元件充分發揮。這種電路（需要周期切換high side功率元件）也稱為bootstrap電路，有時(shí)也和電荷泵電路會(huì)有些差異成就。

 

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